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트랜지스터하면서 궁금했던점. 지금은 해결함 1. 증폭? 에너지 보존법칙은? 2. 바이어스 전압? -는 안되나? 3. 왜 역방향 전압이 순방향 전압보다 커야하지? 4. 저항의 필요이유 - 소비전력과 관계 5. 병렬이 전기 많이 잡아먹는거 - 총으로 보면 저항이 감소 -> P 증가 6. 바이어스 전압과 공핍층 특히 공핍, 결핍층에 대한 이해. 6-1) p,n형 반도체는 중성인데 그저 자유전자가 있는 것뿐. 여러개가 서로 결합하며 팔이 남는 것.일뿐 극성을 띠는게 아니다. 6-2) 공핍결핍층이 생기는 원리와 이로인한 장벽전압의 존재. 당시에 모르겠던 게 지금은 머리에서 뚜렷하다. 역시 계속하면 다 된다. ㅎ
정공이 다수캐리어인 p형 반도체(흰 점으로 표시된 것이 정공입니다)와 전자가 다수캐리어인 n형 반도체(검정 점으로 표시된 것이 전자입니다)가 한 면에서 만났습니다. 만나기 전에는 각각의 다수캐리어들은 균일하게 분포하여 있었습니다. 물론 이온화된 도너 또는 억셉터도 균일하게 분포하여 있으며, 각각의 반도체는 전기적으로 중성인 상태입니다. (p형 반도체에서는 음이온과 정공의 수가 같고, n형 반도체에서는 양이온과 전자의 수가 같으므로 전기적으로는 중성입니다) 그러다가 한 면에서 두 반도체가 만나면 접합면 부근의 정공(p형 반도체의 다수캐리어)과 전자(n형 반도체의 다수캐리어)가 서로 끌려 오다가 만나겠지요. (이때, 이온화된 도너나 억셉터는 움직이지 않고 고정되어 있음에 유의하세요) 정공과 전자가 만나면 어..