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트랜지스터하면서 궁금했던점. 지금은 해결함 1. 증폭? 에너지 보존법칙은? 2. 바이어스 전압? -는 안되나? 3. 왜 역방향 전압이 순방향 전압보다 커야하지? 4. 저항의 필요이유 - 소비전력과 관계 5. 병렬이 전기 많이 잡아먹는거 - 총으로 보면 저항이 감소 -> P 증가 6. 바이어스 전압과 공핍층 특히 공핍, 결핍층에 대한 이해. 6-1) p,n형 반도체는 중성인데 그저 자유전자가 있는 것뿐. 여러개가 서로 결합하며 팔이 남는 것.일뿐 극성을 띠는게 아니다. 6-2) 공핍결핍층이 생기는 원리와 이로인한 장벽전압의 존재. 당시에 모르겠던 게 지금은 머리에서 뚜렷하다. 역시 계속하면 다 된다. ㅎ

정공이 다수캐리어인 p형 반도체(흰 점으로 표시된 것이 정공입니다)와 전자가 다수캐리어인 n형 반도체(검정 점으로 표시된 것이 전자입니다)가 한 면에서 만났습니다. 만나기 전에는 각각의 다수캐리어들은 균일하게 분포하여 있었습니다. 물론 이온화된 도너 또는 억셉터도 균일하게 분포하여 있으며, 각각의 반도체는 전기적으로 중성인 상태입니다. (p형 반도체에서는 음이온과 정공의 수가 같고, n형 반도체에서는 양이온과 전자의 수가 같으므로 전기적으로는 중성입니다) 그러다가 한 면에서 두 반도체가 만나면 접합면 부근의 정공(p형 반도체의 다수캐리어)과 전자(n형 반도체의 다수캐리어)가 서로 끌려 오다가 만나겠지요. (이때, 이온화된 도너나 억셉터는 움직이지 않고 고정되어 있음에 유의하세요) 정공과 전자가 만나면 어..

How transistor works 더보기 https://www.youtube.com/watch?v=DXvAlwMAxiA https://www.youtube.com/watch?v=IcrBqCFLHIY https://www.youtube.com/watch?v=7ukDKVHnac4 https://www.youtube.com/watch?v=0CvdruTMH1c&t=236s 반도체로 만들어진다. semiconductor 움직이지 않는 스위치의 역할이자. 매우매우 작게 만들 수 있다. 무어의 법칙에 따라 2년마다 트랜지스터의 크기가 기하급수적으로 작아지게 되는데 이게 일정 수준이상을 넘어가면 양자의 단위로 넘어가게 된다. 이렇게 되면 depletion area 가 barrier 즉 스위치의 역할을 못하게 된다...

전위 vs 전위차 vs 전기 퍼텐셜 vs 전기력퍼텐셜에너지 vs 전압 이해한 바 전위 : 전기력 포텐셜에너지를 전하로 나눈 것 전위차 = 전압 : 두 지점간 전위의 차이 전기 퍼텐셜 = 전위차 = 전압 => 단위전하가 갖는 전기포텐셜 에너지 전기력 퍼텐셜 에너지 = 전기적 위치에너지로 무한의 위치에서 어느 점까지 옮기는 데 필요한 일의 양 (1) 전기력 퍼텐셜 에너지 : 전기력이 해 준 일, W=Fs 여기서 s대신 d를 사용. W=Fd=qEd=q(V/d)d=qV 로 정의함. (2) 전위 : 전기력 퍼텐셜 에너지를 전하량으로 나눈 것. 영어로 electric potential, 우리말로 전기 퍼텐셜이라고 함. 결국 전위=전기 퍼텐셜. (3) 전위차=전압=전위의 차이값 전위와 전기퍼텐셜에너지와 전기 퍼텐션 ..

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